Fused quartz

U proizvodnji Si i FeSi, glavni izvor Si je SiO2, u obliku kvarca.Reakcije sa SiO2 stvaraju plin SiO koji dalje reagira sa SiC u Si.Tokom zagrevanja, kvarc će se transformisati u druge modifikacije SiO2 sa kristobalitom kao stabilnom visokotemperaturnom fazom.Transformacija u kristobalit je spor proces.Njegova stopa je ispitana za nekoliko industrijskih izvora kvarca i pokazalo se da značajno varira među različitim tipovima kvarca.Druge razlike u ponašanju tokom zagrijavanja između ovih izvora kvarca, kao što su temperatura omekšavanja i proširenje volumena, također su proučavane.Odnos kvarc-kristobalit će uticati na brzinu reakcija koje uključuju SiO2.Razmatraju se industrijske posljedice i druge implikacije uočene razlike između vrsta kvarca.U trenutnom radu razvijena je nova eksperimentalna metoda, a istraživanje nekoliko novih izvora kvarca potvrdilo je ranije uočene velike varijacije između različitih izvora.Proučavana je ponovljivost podataka i istražen je uticaj gasne atmosfere.Kao osnova za diskusiju uključeni su rezultati iz prethodnog rada.

Taljeni kvarc ima izvrsna termička i hemijska svojstva kao materijal za lončić za rast monokristala iz taline, a njegova visoka čistoća i niska cijena čine ga posebno atraktivnim za rast kristala visoke čistoće.Međutim, u rastu određenih vrsta kristala potreban je sloj pirolitičkog ugljičnog premaza između taline i kvarcnog lončića.U ovom članku opisujemo metodu nanošenja pirolitičkog ugljičnog premaza vakuumskim transportom pare.Pokazalo se da je metoda djelotvorna u dobivanju relativno ujednačenog premaza na širokom rasponu veličina i oblika lončića.Rezultirajuća pirolitička karbonska prevlaka karakterizirana je mjerenjima optičkog slabljenja.U svakom procesu nanošenja premaza, prikazano je da se debljina prevlake približava terminalnoj vrijednosti s eksponencijalnim repom kako se trajanje pirolize povećava, a prosječna debljina raste otprilike linearno s omjerom volumena raspoložive heksanske pare i površine pirolitičke pare. premazivanje.Kvarcne lončiće obložene ovim postupkom korištene su za uspješno uzgajanje Nal monokristala do 2 u prečniku, a utvrđeno je da se kvalitet površine Nal kristala poboljšava kako se debljina prevlake povećava.